Computersystemen/Geheugen: verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Regel 42:
SDRAM (''Synchronous DRAM'') gaat van DDR SDRAM tot DDR4 SDRAM. In opeenvolgende versies zorgt men niet alleen voor geheugenmodules met grotere capaciteit, maar ook het energieverbruik krijgt meer aandacht.
=== Werking ===
[[Bestand:DRAM.svg|miniatuur|Logische organisatie van een DRAM-chip]]
[[File:Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|Fysische organisatie van een DRAM-chip]]
Uit het hoofdstuk van computerbussen weten we al hoe het gegevenstransport tussen het geheugen en de CPU gebeurt. Maar hoe werkt dit binnenin het RAM-geheugen? Hardwarematig bestaan de geheugencellen van de DRAM-chip uit miniscule transistoren die door een bepaalde lading vast te houden informatie kunnen bewaren. Bekijken we het op een logische manier, dan kunnen we dit geheugen bekijken als een geordende tabel met rijen en kolommen. In ieder knooppunt van een rij en een kolom kan 1 informatiebit bewaard worden (0 of 1). Als meerdere bits worden uitgelezen spreekt met over 'woorden'.
Om een bit te lezen of te schrijven, gaat men als volgt te werk.
# De helft van het adres wordt op de adresingangen (A) gezet. De RAS-lijn (Row Address Strobe) wordt geactiveerd. De rijadresdecoder (groen) decodeert het adres en selecteert een rij uit de matrix (blauw) van geheugenelementen.
# De andere helft van het adres op de adresingangen gezet en de CAS-lijn (Column Address Strobe) geactiveerd. De kolomadresdecoder (groen) decodeert het adres.
De andere elementen op de tekening zijn:
* Via de RW-lijn wordt bepaald of er gelezen (''read'') of geschreven (''write'') moet worden.
* Via de datalijn kan een bit worden doorgegeven (''read'') of aangegeven (''write'').
* Het rode deel is een buffer.
=== Specificaties ===
==== Snelheid ====
| |||